第二代超结MOSFET，一切向新
根据Global Market Insights的调查，超级结MOSFET在2023年在能源和电力领域中的市场份额超过30%。覆盖电动车充电桩、服务器和数据中心电源、LED驱动、太阳能逆变器、家电控制等多个领域。预计到2032年，全球超级结MOSFET市场的年复合增长率将超过11.5%。超级结MOSFET以其成熟的可靠性标准、完善的供应链体系以及不断进化的技术路线，为追求卓越性能和稳定性的客户提供了强有力的保障。WeEn目前提供G1和G2两种型号的超级结MOSFET。我们的G2超结MOSFET采用了先进的设计改进，例如缩小单元间距、低阻抗的EPI层和更短的P柱深度。这些创新显著降低了器件的导通电阻。同时，我们精细控制了超结的电荷平衡，确保器件拥有卓越的雪崩能力和低容性损耗，使其在高效、可靠和热管理要求高的软硬开关应用中表现均衡出色。
WSJ2M60R065D是WeEn G2超结MOSFET中的主力产品之一。包括TO-220在内，同系列还有TO-220F/TO-247/TOLL等不同封装可以选择。它在导通电阻方面表现尤为出色。与竞争对手的产品相比，WSJ2M60R065D在不同电流密度下保持更加稳定的导通电阻，在最大连续电流范围内，电阻变化不超过10%。这种稳定性为客户提供了更可靠的性能数据。此外，WSJ2M60R065D能够适应功率变化的应用需求，在各种复杂的应用环境中拥有卓越的表现。
WeEn G2 MOSFET在综合性能上达到了世界领先水平，其FOM因子与全球顶尖竞争对手处于同一水平线上。在确保严格的良率和工艺控制基础上，WeEn在设计器件时为客户保留了更多的击穿电压余量。我们的600V器件几乎达到市场上的650V器件标准，充分保障了客户应用的可靠性。此外，G2 MOSFET集成了精细调整的快恢复体二极管，其反向恢复时间Trr仅为123 ns，并且体二极管能够无损承受1000 A/us的换向速度。优秀的体二极管性能使得WSJ2M60R065D非常适合软开关的ZVS应用,在提供高效表现的同时应对异常工况。
然而，WSJ2M60R065D并不仅限于软开关应用。在硬开关应用中，WSJ2M60R065D同样表现出色。与顶尖竞争对手相比，WSJ2M60R065D具有显著的Eoss优势，即在硬开关应用中的容性损耗较低。同时，其单位面积的雪崩能力明显高于行业常规水平，能够承受更高的过压和震荡。在类似PFC的硬开关拓扑中同样有稳定安全的性能表现。
WeEn始终坚持严格可靠的质量评估。在加速老化试验中，我们严格控制样品数量，确保我们的产品做到零失效。WeEn MOSFET产品在168/500/1000小时的高温应力老化试验中，性能表现一致性非常优秀。同时，我们还会额外审查器件和封装环节的ESD能力，最大限度地降低器件在生产、封装和运输环节中的质量问题。WSJ2M60R065D的CDM能力大于2000V，HBM更是大于4000V，展现了可靠的质量水平。
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