瑞能半导体1200V 碳化硅二极管荣获2019全球电子成就奖“年度功率半导体”产品奖项，彰显行业领导力

        2019年11月7日，在由全球最大的电子信息媒体集团ASPENCORE举办的全球CEO峰会上， 瑞能半导体(WeEn Semiconductors ) 1200V 碳化硅系列荣获产品类“年度功率半导体”大奖，彰显了其在功率半导体行业的创新领导力。

        全球电子成就奖旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，由 ASPENCORE 全球资深编辑组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选出得奖者。历时数月，于2019年11月7日在中国深圳举办“全球双峰会”隆重揭晓各大奖项得主。

        本届全球电子成就奖各类奖项获的提名的企业及产品均为行业标杆，瑞能能够在全球用户参与的评选中获得产品类大奖，充分展现了瑞能在不断变化的技术世界和竞争激励的全球市场里的所表现的敏捷性和创造性，同时也体现了客户和业界同仁对瑞能以及瑞能全球跨国团队的高度认可。

        瑞能专注于功率半导体领域, 传承逾50年的核心技术，全球销售点遍布大中华区，欧洲，亚太及美洲，产品应用覆盖智能家电，电动汽车，电脑通讯等行业，为客户在各自细分行业提供可靠专业的技术支持。

        不断创新和发展碳化硅二极管产品，瑞能半导体旨在将好处带给更多的应用领域。继碳化硅650V系列之后，瑞能开发业界领先的1200V碳化硅二极管，为电源应用提供了高性能的解决方案。碳化硅二极管的产品组合满足了瑞能各类客户在以下各种应用中的需求：功率因数校正/开关模式电源（SMPS）/ UPS / PV逆变器/电动机驱动器。

        使用碳化硅二极管可使功率转换系统在更高的频率下工作功率密度更高，并减小了磁性元件的重量和尺寸。与市场上的其他竞争对手相比，强大的抗浪涌冲击能力和抗雪崩能力确保了瑞能碳化硅二极管的强健性和鲁棒性。在相关的SIC MOSFET / Si IGBT模块中替换硅基二极管可减少功耗。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。